特斯拉將大減 SiC 75%用量震撼業界

特斯拉剛結束的投資人大會，雖然沒有任何新車動態，態度卻大轉彎引發市場的失望聲浪。他宣布要在下一代電動車平台上縮減 75% 的碳化矽（SiC）用量，卻成了業界最關注的訊息。對此，未來電動車主逆變器將可能朝 SiC/ Si IGBT 的混合封裝發展，同時，SiC MOSFET 的技術可能將由 Planar 結構轉向 Trench 結構。
 
碳化矽具有耐高溫、耐高壓等特性，特斯拉一年前還大力倡導，宣稱要擴大採用碳化矽，業界原看好特斯拉領頭下，電動車將是碳化矽龐大出海口。
 
特斯拉會在這次投資人大會中提到未來將減用 SiC 計畫，應該與 SiC 可靠性以及供應鏈的穩定性確實令其信心不足有關，特別是過去幾年中曾因此出現過 Model 3 召回事件，當時官方的說法是「後電機逆變器功率半導體元件可能存在微小的製造差異，其中部分車輛使用一段時間後元件製造差異可能會導致後逆變器發生故障，造成逆變器不能正常控制電流」，這裡指向的正是 SiC 元件。
 
另一方面，SiC 基板材料緊缺的狀況，一直令車廠頭痛，也是整個 SiC 供應鏈發展的難題。儘管Wolfspeed、英飛凌、意法半導體等主要廠商正在大舉擴充產能，特斯拉一方面也可能是尋求多元化供應商方案，以防備供應鏈風險。
 
然而，不可否認的是，SiC 依舊是電動車製造商未來必須考慮的核心零組件，而這裡指涉的廠商當然也包含特斯拉。考量到技術變革所帶來的影響，TrendForce 認為，特斯拉下一代電動汽車主逆變器可能做出 SiC 與 Si IGBT 的混合封裝調整，這是工程設計層面的顛覆性創新，但充滿挑戰。
 
同時，TrendForce 也認為，特斯拉下一代電動車關鍵 SiC MOSFET 技術可能將由 Planar 結構轉向Trench結構，目前以英飛凌、羅姆、博世為 Trench SiC MOSFET 主要供應商。上述技術的改變將大幅縮減SiC成本，降低整車系統複雜性與成本，進而推動 SiC 在中低階車型中的滲透，但可能會對 Si IGBT 造成一定衝擊。
 
做為電動車用 SiC 市場的最大風向球，特斯拉種種動向都牽動業界的發展，然而由於特斯拉僅公布下一代電動車平台計畫，並未針對推行時機或細節有更進一步訊息，因而對 SiC 產業的整體影響仍需持續觀察。