因應AI帶動高頻寬記憶體（HBM）供不應求，美光猛攻HBM

美國記憶體晶片大廠美光21日宣布，因應AI帶動高頻寬記憶體（HBM）供不應求，將調高資本支出擴大投資HBM。業界預期，美光加碼攻HBM，三星、SK海力士也將跟進，三大記憶體廠更無暇兼顧標準型DRAM製造，加上產能排擠效應，標準型與利基型DRAM價格將一路走俏。
 
面對國際記憶體大廠紛紛將重心投入生產HBM，威剛認為，此舉將使得大廠們沒有更多心力放在DDR4、DDR5等標準型DRAM生產，同時也因產能轉至生產HBM，排擠標準型DRAM產出，看好報價仍會保持上揚格局，並進一步推動公司整體毛利率持續增長。
 
國際大廠積極投入生產HBM，以供應未來AI、高效運算（HBM）強勁需求，可能會降低一般DRAM產出，利於庫存調整，該公司本季將力拚毛利率轉正。
 
綜合外電報導，美光在參與摩根大通全球科技、媒體和傳播大會時宣布，因應HBM供不應求，該公司將調高今年資本支出，由原訂75億美元（約新台幣2,420億元）增至約80億美元（約新台幣2,580億元）。
 
美光營運長Manish Bhatia更直言，旗下HBM事業規模將在2025會計年度飆升至數十億美元。美光預期，近期毛利率將介於30%至33%左右，尤其看好HBM業務近期複合年增率有望高達50%，從八層堆疊轉移至12層堆疊的HBM，有望推升2025年度營收。